| 標稱頻率
晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標識在產(chǎn)品外殼上。
工作頻率
晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
調(diào)整頻差
在規(guī)定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
溫度頻差
在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許
偏差。
老化率
在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為
年老化率。
靜電容
等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
負載電容
與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
負載諧振頻率
在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
動態(tài)電阻
串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
負載諧振電阻
在負載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL=R1（1+C0/CL）2
激勵電平
晶體工作時所消耗功率的表征值。
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
基頻
在振動模式最低階次的振動頻率。
泛音
晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。 |
